Thyristor SKT760/16E

V RSM

V RRM , V DRM

I TRMS = 1600 A (maximum value for continuous operation)

V

V

I TAV = 760 A (sin. 180; DSC; T c = 80 °C)

900 

800 

SKT 760/08D 

1300 

1200 

SKT 760/12E 

1500 

1400 

SKT 760/14E 

1700 

1600 

SKT 760/16E 

1900 

1800 

SKT 760/18E 

Symbol

Conditions

Values

Units

I TAV

sin. 180; T c = 100 (85) °C;

488 ( 696 )

A

I D

2 x P8/180; T a = 45 °C; B2 / B6

440 / 620

A

2 x P8/180 F; T a = 35 °C; B2 / B6

1200 / 1700

A

I RMS

2 x P8/180; T a = 45 °C; W1C

480

A

I TSM

T vj = 25 °C; 10 ms

15000

A

T vj = 125 °C; 10 ms

13000

A

i²t

T vj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms

1125000

A²s

T vj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms

845000

A²s

V T

T vj = 25 °C; I T = 2400 A

max. 1,65

V

V T(TO)

T vj = 125 °C

max. 0,92

V

r T

T vj = 125 °C

max. 0,3

mOhm

I DD ; I RD

T vj = 125 °C; V RD = V RRM ; V DD = V DRM

max. 80

mA

t gd

T vj = 25 °C; I G = 1 A; di G /dt = 1 A/µs

1

µs

t gr

V D = 0,67 * V DRM

2

µs

(di/dt) cr

T vj = 125 °C

max. 125

A/µs

(dv/dt) cr

T vj = 125 °C ; SKT ...D / SKT ...E

max. 500 / 1000

V/µs

t q

T vj = 125 °C ,

100 ... 200

µs

I H

T vj = 25 °C; typ. / max.

150 / 500

mA

I L

T vj = 25 °C; typ. / max.

500 / 2000

mA

V GT

T vj = 25 °C; d.c.

min. 3

V

I GT

T vj = 25 °C; d.c.

min. 200

mA